B.工作电压-电流的影响。工作电流增大，采出水水质不断改善。
但如果增加到高点后电流增大，由于水电离产生的H+和OH-离子过多，除再生树脂外，还有大量多余的离子充当载流离子导电，同时由于大量载流离子在运动过程中的积聚和堵塞，甚至出现反扩散现象，导致产水水质下降C、浊度和污染指数（SDI）的影响。
EDI模块的产水通道充满离子交换树脂，过大的浊度和污染指数会堵塞通道，导致系统压差上升，产水量下降；D.硬度的影响。
EDI进水残余硬度过高，会造成浓缩水通道膜面结垢，浓缩水流速降低，采出水电阻率降低；采出水水质受到影响，严重时模块浓缩水和极性水通道堵塞，导致组件因内部发热而受到E、TOC（总有机碳）的影响。
进水中有机物含量过高，会造成树脂和选择性透膜的有机污染，导致系统运行电压升高，采出水水质下降，同时也容易在浓缩水通道中形成有机胶体，堵塞通道。F.进水中CO2的影响。
进水中CO2产生的HCO3-是弱电解质，易渗透离子交换树脂层，造成水质下降。G、总阴离子含量（TEA）的影响。高TEA会降低EDI制水的电阻率，或需要增加EDI工作电流。工作电流过大会导致系统电流增大，极性水的余氯浓度增加，对极性膜的寿命不利。
此外，进水温度、pH值、SiO2和氧化物也影响EDI系统的运行。进水水质的控制A、进水电导率的控制。
在预处理过程中严格控制电导率，使EDI进水电导率小于40μS/cm，可保证出水电导率合格，去除弱电解液；B.工作电压-电流的控制。
系统工作时应选择合适的工作电压-电流，同时EDI净水设备的电压-电流曲线上有一个极限电压-电流点的位置，它与进水水质、膜和树脂性能、膜对结构等因素有关，为了使一定量的水电离产生足量的H+和OH-离子以再生一定量的离子交换树脂，所选EDI净水设备的电压-电流工作点必须大于极限电压-电流点。
C.进水CO2的控制。RO前可加碱调节pH以最大程度去除CO2，也可通过脱气塔和脱气膜去除CO2。D.进水硬度的控制。
可与除CO2相结合，对RO进水进行软化加碱；进水含盐量较高时，可与除盐相结合，提高一次RO或纳滤E、TOC控制，结合其他指标要求，提高一次RO达到要求。
浊度和污染指数是反渗透系统进水控制的主要指标之一。合格的反渗透出水一般可以满足EDI的要求。
G、Fe控制。操作时控制EDI进水的Fe小于0.01mg/L。如果树脂已经“中毒”，可以用酸性溶液进行复苏处理，效果更好。
EDI系统进水水质要求基于上述分析，EDI系统进水水质要求如表所示，可保证出水指标满足电子工业半导体制造所需的高纯水要求。
